Аннотация результатов, полученных в 2019 году
Одна из наиболее важных задач, решаемых в первый год выполения проекта, состояла в получении серии твердых растворов на основе одного из наиболее известных Дираковских полуметаллов – арсенида кадмия, с целью экспериментального исследования перехода от состояния дираковского полуметалла в состояние тривиального полупроводника. Такой переход происходит по мере увеличения степени замещения в анионной (As на P) или катионной (Cd на Zn) подрешетках Cd3As2 и проходит через критическую точку касания конусов Дирака. Были оптимизированы условия роста монокристаллов Cd3-xZnxAs2 и Cd3(As1-хPх)2 с заданным уровнем замещения. По данным рентгеновской дифракции и результатам рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) кристаллы (Cd1-xZnx)3As2 демонстрируют более высокую однородность и более высокое качество по сравнению с образцами Cd3(As1-хPх)2. В настоящее время отобранные монокристаллы переданы для изучения методом ARPES. Исследование полученных образцов Cd3(As1-xPx)2 рентгеновской дифракцией на гранях показало, что получению качественных кристаллов препятствует их зональность и секториальность, обусловленная неравномерным распределением фосфора внутри растущего кристалла. Кроме того, важный концентрационный интервал твердых растворов приходится на двухфазную область, границами которой являются твердые растворы Cd3(As1-xPx)2 с уровнем замещения 0.10<x<0.25. Наличие этой области является фундаментальным препятствием получения термодинамически равновесных образцов с соответствующей степенью замещения. Рентгеноструктурный анализ четырех монокристаллов Cd3(As1-xPx)2 с различным уровнем замещения показал, что образец с небольшим содержанием фосфора (x = 2.8%) кристаллизуется в объемоцентрированной пространственной группе I41/acd, характерной для незамещенного Cd3As2, в то время как образцы, с более высокими уровнями замещения x = 0.32, 0.39 и 0.50, кристаллизуются в примитивной пр.гр. P42/nmc и изоструктурны среднетемпературной модификации арсенида кадмия P. Существование области твердых растворов Cd3(As,P)2 на основе I модификации арсенида кадмия было установлено впервые. В ходе уточнения структур было впервые показано, что атомы фосфора неравномерно распределяются по трем кристаллографически независимым позициям мышьяка, как в I-, так и в P- модификации. Показано, что фосфор преимущественно занимает те позиции мышьяка, в которых 4 из шести расстояний Pn-Cd (Pn=As, P) оказываются существенно короче двух других (тип координации 4+2). В то время, как в позициях с более равномерным распределением связей Pn-Cd преимущественно располагается мышьяк. Показано, что метод кристаллизации из Cd – расплава неприменим для получения монокристаллов (Cd1-xMx)3As2 с другими вариантами замещения (M=3d-элемент кроме Zn, РЗЭ), вследствие низкой растворимости 3d-металлов (M=Fe,Ni, Mn) в жидком кадмии. В тоже время, показано, что метод субсолидусной рекристаллизации позволяет получать монокристаллы (Cd1-xMnx)3As2. Поиск вариантов изо- и гетеровалентного замещения в полуметаллах Вейля Nb(1-x)TaxPn (Pn=As, P), MAs(1-x)Px (M=Nb, Ta) привел к выявлению нескольких сочетаний, позволяющих выращивать монокристаллические образцы методом иодидного транспорта, а именно, NbAs(1-x)Px и Nb1-xTaxP и Ta1-xMoxP. В подотчетный период в основном силами зарубежных коллег проводились исследования физических свойств Вейлевского полуметалла WTe2 (синтез этого соединения проводился совместно российскими и немецкими коллегами). Методом Андреевской спектроскопии точечных контактов установлено, что при температурах ниже 6K данное соединение проявляет сверхпроводящие свойства непосредственно в области точеного контакта. Проведена отработка методов синтеза новых дираковских полуметаллов с многократно-вырожденными точками пересечения (Ba4Bi3, La4Bi3). Сложность получения монокристаллических образцов Ba4Bi3 и La4Bi3 заключается в узкой концентрационной области их существования в сочетании с высокой реакционной способностью компонентов, а в случае La4Bi3 еще и относительно высоких температурах синтеза. Тем не менее, были подобраны условия получения Ba4Bi3 метоом self flux. В связи с установлением свойств дираковского полуметалла для дивисмутида платины PtBi2 возрос интерес к его легкому аналогу – PtP2, проявляющему свойства узкозонного полупроводника. Монокристаллы PtP2 были успешно выращены из оловянного флюса и подготовлены для проведения физических измерений. В рамках теории функционала плотности (DFT) в приближении обобщенного градиента (GGA) и мета-GGA с использованием полноэлектронного полнопотенциального метода линеаризованных присоединенных плоских волн (в т.ч. дополненных локальными орбиталями) – FP-LAPW (+lo) и псевдопотенциального подхода (PAW) выполнены квантовохимические расчеты электронной структуры и оценены топологические свойства для моногалогенидов висмута Bi4Bi4, Bi4I4, а также тройных соединений Bi2TeBr, PdTe1-xBix и интерметаллида PdBi. Особенности зонной структуры Bi4Br4 характерны и для b-Bi4I4, который является слабым топологическим диэлектриком. Рассчитанный характер дисперсии зон в т. Г для Bi4Br4 находится на границе топологический диэлектрик-тривиальный диэлектрик и позволяет предполагать, что данное соединение может либо также проявлять слабые топологические свойства, либо быть переведено из тривиального полупроводника в топологическое состояние. Расчетные данные для Bi2TeBr показывают, что без учета спин-орбитального взаимодействия представляет собой плохой металл и имеет псевдо-щель на уровне Ферми, составленную преимущественно вкладами от 6px и 6pz орбиталей висмута и 4р орбиталей брома. При «включении» спин-орбитальных взаимодействий щель раскрывается до ~0.12 эВ (в т. Г), что является индикатором наличия у соединения топологических свойств, в частности, возможного проявления свойств слабого двумерного топологического диэлектрика. Расчеты зонной структуры PdTe1-xBix показывают наличие псевдо-щели вблизи уровня Ферми, однако при увеличении содержания висмута ее раскрытия не происходит. Следовательно, в данной системе сложно ожидать интересных топологических свойств. Разработан метод синтеза, сочетающий использование высокотемпературного ампульного синтеза с механохимической и химической (активатор – иод) активацией, при помощи которого получены однофазные поликристаллические образцы Pt3Bi2Se2 и практически однофазные образцы Pd3Bi2S2. Эксперименты по росту кристаллов Pt3Bi2Se2 и Pd3Bi2S2 методом ХТР позволили получить два новых соединения (смешанные теллуриды платины-висмута и палладия-висмута), однако, метод оказался малопригоден для роста кристаллов целевых фаз. Эксперименты по росту из расплава во флюсах позволили получить монокристаллы Pt3Bi2Se2 и Pd3Bi2S2, размер которых пока еще не достаточен для проведения физических измерений. В подотчетный период проводились поисковые работы по синтезу висмутидов - представителей семейств 111, 112, 122, проявляющих свойства полуметаллов с нетривиальными свойствами. Представитель семейства 112 BaCdBi2 в виде игольчатых кристаллов был получен кристаллизацией из раствора компонентов в жидком висмуте. Монокристаллы новых тройных висмутидов NaZnBi и NaCdBi, которые, согласно теоретическим расчетам, могут проявлять свойства полуметаллов Дирака, получены кристаллизацией из раствора компонентов в жидком висмуте. Изучение их кристаллического строения методом монокристального РСА показало, что данные соединения образуют изоструктурные ряды со своими более легкими пниктидными аналогами: NaZnBi, кристаллизуется в структурном типе PbFCl, пр. гр. P4/nmm, в то время как NaCdBi относится к структурному типу MgSrSi, пр. гр. Pnma. Размеры полученных монокристаллов (до 2х2х5мм3) позволяют провести детальное исследование физических свойств полученных соединений.

Аннотация результатов, полученных в 2020 году
В течение второго года реализации проекта была завершена отработка методов приготовления монокристальных образцов арсенида кадмия Cd3As2 (полуметалла Дирака), а также Вейлевских полуметаллов NbPn, TaPn (Pn=As, P) с замещением в анионной (Cd3(As1-xPx)2, NbAs1-xPx) и катионной подрешетках (Cd(1-x)Znx)3As2, Nb(1-x)TaxP, Ta(1-x)MoxP). Монокристаллы арсенида кадмия Cd3(As1-xPx)2 со степенью замещения 5-25 % были получены кристаллизацией из раствора в жидком кадмии в постоянном градиенте температур. Для впервые синтезированных монокристаллов пниктидов ниобия и тантала с замещением в катионной и анионной подрешетках были уточнены условия синтеза, в частности, установлена необходимость введения в систему небольшого количества кислорода, изменяющего механизм транспорта. Оптимизация условий синтеза позволила улучшить качество получаемых монокристаллов и приблизить их состав к критической точке перехода полуметалл – полупроводник. Проведена оптимизация методов синтеза новых Дираковских полуметаллов с многократно-вырожденными точками пересечения (Ba4Bi3, Ln4Bi3). Методом self-flux получен поликристаллический образец Ba4Bi3, содержащий примеси обогащенных висмутом фаз. Кристаллизацией из индиевого флюса в температурном интервале от 1873 до 1073 К впервые были получены кристаллы Ce4Bi3 с частичным замещением церия на алюминий Ce4-xAlxBi3. По-видимому, этот метод является общим и может быть применен для получения всего ряда соединений Ln4Bi3. Изучены фазовые соотношения в бинарной системе Bi-Br в области составов вблизи 50:50. В данной области подтверждено существование трех фаз: метастабильной Bi1.25Br (Bi5Br4), BiBr (Bi4Br4), BiBr1.167 (Bi6Br7). Для Bi6Br7 был разработан метод роста кристаллов с использованием химических транспортных реакций с транспортером Hg-2Br2, что позволило переуточнить кристаллическую структуру и исправить ошибку в описании анионной части данного соединения: показано, что оно состоит из полиатомных кластеров висмута Bi95+ и полимерного аниона 1∞[Bi3Br145-]. С использованием новых структурных данных методом DFT рассчитана электронная структура соединения, дано объяснение электронно-транспортным свойствам. Оптимизирована методика роста кристаллов соединения Bi4Br4 при помощи ХТР. Получены кристаллы размеров, пригодных для проведения физических измерений. На уровне DFT рассчитана электронная структура Bi4Br4-xIx (x=1;2;3). По данным расчетов все соединения являются узкозонными полупроводниками. Наилучшими кандидатами для проявления нетривиальных топологических свойств являются Bi4Br4 и Bi4Br2I2. При помощи высокотемпературного ампульного синтеза с механохимической активацией получены однофазные объемные образцы Bi4Br4-xIx (x=0, 1, 2, 3, 4). Выполнены теоретические расчеты электронной структуры и фрагментов поверхности Ферми теллургалогенидов висмута. Показана высокая вероятность нетривиальных топологических свойств для Bi2TeI и Bi2TeBr0.5I0.5. Для получения объемных образцов Bi2TeBr, Bi2TeI1-xBrx (x=0.05, 0.25, 0.5) опробована методика высокотемпературного синтеза с механохимической активацией. Рентгенографическое и микроскопическое исследование кристаллов Bi2TeBr показало высокую вероятность локального сосуществования доменов с моноклинной и гексагональной сингонией. С использованием флюсов выращены монокристаллы гексагональной модификации Pd3Bi2S2. Расчеты методом DFT показали, что, в отличие от кубической, она не является перспективной с точки зрения топологических свойств. Для соединения BaCdBi2 проведена серия синтезов по оптимизации состава и температурного профиля. Проведенное исследование показывает, что область существования BaCdBi2 на фазовой диаграмме весьма ограничена и синтез этого соединения надо проводить с использованием флюса. Для ранее неизвестных соединений NaZnBi и NaCdBi, полученных в первый год выполнения проекта, проведено изучение температурной зависимости магнитной восприимчивости, которое показало, что эти вещества являются парамагнетиками. Расчет электронной зонной структуры показал, что оба соединения относятся к полуметаллам. Изучение образца NaZnBi методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES) показало хорошее соответствие экспериментального спектра с расчетом и свидетельствует о достаточно высоком качестве полученных монокристаллов. Также были продолжены поисковые работы по синтезу новых висмутидов семейства 111 с участием других щелочных металлов. В ходе предпринятых попыток синтеза монокристаллов соединений KZnBi и KCdBi были получены монокристаллы неизвестного ранее KZn2Bi2. На основании экспериментальных работ по отработке методов выращивания монокристаллов заявленных в проекте магнитно-упорядоченных полуметаллов, а также новых полуметаллов с многократно-вырожденными точками пересечения в качестве наиболее перспективных для дальнейшей работы были выбраны тройные пниктиды состава 111, а именно, CuMnAs, а также BaTMBi (TM=Ag, Au) и структурно родственные антимониды. Данные соединения удается получить из висмутового флюса или эвтектики, образованной пниктогеном и d-металлом. В подотчетном году были также получены существенные результаты в смежных направлениях проведения исследований, непосредственно связанных с тематикой проекта. Имеющиеся примеры проявления топологически обусловленных свойств у Fe-содержащих сверхпроводников, а также структурное родство LiFeAs и синтезированного нами висмутида NaZnBi, обладающего свойствами полуметалла, побудило нас провести целенаправленный поиск топологически обусловленных свойств и в этом сверхпроводнике. Проведенное прецизионное исследование электронного строения LiFeAs, выполненное методом ARPES, не выявило топологически обусловленных состояний, однако позволило впервые обнаружить наличие нематической фазы, существование которой было ранее доказано и подробно исследовано для сверхпроводящего селенида железа FeSe. Таким образом, существование нематичности вблизи перехода в сверхпроводящее состояние является общим свойством железосодержащих сверхпроводников. Аналогичная подзадача (обнаружение топологических состояний) стояла и в ходе исследования ряда образцов FeSe с частичным замещением в катионной (Fe на Co) или анионной (Se на S) подрешетках с применением метода ядерного магнитного резонанса. В этом случае также не удалось доказать существования топологически обусловленных фаз, однако были получены важные нетривиальные результаты, углубляющие наши представления о механизме возникновения сверхпроводимости в Fe-содержащих сверхпроводниках. Еще одно экзотическое состояние, которое может приводить к возникновению свойств Вейлевского полуметалла, связано с магнитными геликоидальными фазами. Есть примеры, когда геликоидная фаза переходит в скирмионные фазы под действием магнитного поля. В последнее время появился ряд работ, указывающих на возможность осуществления топологической сверхпроводимости на интерфейсе сверхпроводник - магнетик. Среди соединений, обладающих геликоидальной магнитной структурой, особое место занимает фосфид железа FeP, относящийся к структурному типу MnP. При температуре ниже 120 К FeP переходит в магнитоупорядоченное состояние двойной несоразмерной геликоиды. Интересно отметить, что вплоть до настоящего времени причина раздвоения геликоиды остаётся невыясненной, так как в кристаллической структуре FeP имеется только один кристаллографически независимый атом железа. Интерес к изучению этого явления подогревается еще и тем, что изоструктурные фосфиду железа пниктиды MnP и CrAs, также проявляющие свойства двойных гелимагнетиков, при понижении температуры под давлением переходят в сверхпроводящее состояние. Для детального исследования данного явления большое значение имеет возможность синтеза фосфида железа в виде крупных монокристаллов. Задача выращивания таких монокристаллов была решена с использованием оптимизированного метода иодидного транспотра. Были получены монокристаллы FeP массой до 500 мг и объемом до 80 мм3, Высокое качество кристаллов подтверждено с помощью рентгеноспектрального микроанализа, ПЭМ высокого разрешения, низкотемпературной монокристальной рентгеновской дифракции, а также нейтронной дифракции на крупных монокристаллах. Исследования транспортных и магнитных свойств полученных монокристаллов подтвердили их высокое качество. Исследование полученных монокристаллов методами неупругого рассеяния нейтронов и ЯМР спектроскопии на ядрах 31P позволило существенно продвинуться в понимании природы возникновения двойной геликоидальной структуры. Следует отметить, что разработанный метод выращивания крупных монокристаллов методом иодидного газового транспорта будет применен нами и для получения других соединений.

Аннотация результатов, полученных в 2021 году
З1. Модификация свойств дираковских и вейлевских полуметаллов при помощи химического давления: интеркаляция и допирование в слоистых ДПМ и ВПМ. Впервые методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES) был изучен переход дираковский полуметалл –тривиальный полупроводник на примере образцов монокристаллов дираковского полуметалла Cd3As2 с различным уровнем замещения кадмия на цинк. Полученные результаты наглядно демонстрируют динамику расхождения конусов Дирака по мере увеличения уровня замещения. Оказалось, что первый образец по уровню замещения находится близко к критической точке, однако, он уже соответствует состоянию полупроводника с шириной запрещённой зоны около 250 мэВ. Таким образом, критическую точку следует искать при меньшем уровне замещения. Новыми перспективными объектами – топологическими полуметаллами с возможностью подстройки функциональных свойств, могут оказаться висмутовые аналоги железосодержащих сверхпроводников семейств 111 и 122, которые были впервые получены в ходе выполнения данного проекта. Подтвержден металлический характер проводимости NaZnBi. монокристаллы NaCdBi подготовлены для проведения исследования методом ARPES.Подобраны условия кристаллизации и выращены монокристаллы NaZnSb1-xBix с частичным замещением сурьмы на висмут (x=0.08, 0.13) – перспективные с точки зрения проявления топологически обусловленных свойств. Впервые получены новые висмутсодержащие аналоги железных сверхпроводников семейства 122 RbCd2Bi2, KZn2Bi2 и RbZn2Bi2, в виде монокристаллов с размерами до 5-7 мм. Согласно данным рентгеноструктурного анализа, все полученные соединения относятся к структурному типу ThCr2Si2 (пр.гр. I4/mmm) и состоят из антифлюоритоподобных слоёв [TBi], разделенных слоями катионов A. Слои [TBi] образованы плоской квадратной сеткой из атомов T= Zn, Cd, а атомы висмута размещаются в шахматном порядке над и под центрами этих квадратов. Тетраэдры [TBi4] вытянуты вдоль оси C4i, проходящей через два ребра этого тетраэдра, атомы щелочного металла заполняют пространство между антифлюоритоподобными слоями так, что образуют прямоугольные тетрагональные призмы [ABi8]. Указанные соединения не подчиняются формализму Цинтля и являются электрон-дефицитными. Для известных в литературе аналогов (например, CsMn2P2 и RbFe2As2), баланс по зарядам выполняется за счет частичного повышения степени окисления d-металла до +3. Однако для полученных нами соединений подобное распределение формальных зарядов неприменимо из-за недоступности степени окисления +3 для d10-металлов. Для соединения RbCd2Bi2 наблюдаемая проблема, по-видимому, решается за счет образования связей Bi-Bi с участием атомов висмута из разных слоёв, что сопровождается сильным сближением слоёв друг к другу. Действительно, в структуре RbCd2Bi2 расстояние между атомами Bi составляет 3.84 Å, что заметно меньше суммы эффективных ионных радиусов Bi3-. Образование межслоевых димеров [Pn2]4- известно для структурного типа ThCr2Si2. Оно приводит к так называемому эффекту схлопывания слоёв (the layered structure "collapses"): значительному уменьшению отношения параметров c/a, при этом формальная степень окисления пниктогена меняется от -3 до -2. Замена кадмия на цинк ведёт к существенному удлинению ячейки вдоль оси с, в результате расстояние Bi- -Bi увеличивается до 4.30-4.54 Å, таким образом, эффект схлопывания слоёв для соединений RbZnBi и KZnBi не наблюдается. При этом вопрос о том, как решается проблема электронного дефицита в структурах AZn2Bi2 остаётся открытым. Необычное электронное строение полученных висмутидов семейства 122 может приводить к интересным магнитным и электронным свойствам, о чём свидетельствуют предварительные данные ARPES. Так, проведенные измерения на трех монокристаллах показали воспроизводимую картину зон Бриллюэна, напоминающую сверхпроводящие купраты, что может свидетельствовать о возможном проявлении важных квантовых кооперативных состояний, включая волны зарядовой плотности, топологически обусловленные свойства и сверхпроводимость. Богатые возможности по дырочному и электронному допированию соединений семейства 122, а также воздействию химического сжатия путем изо- и гетеровалентного замещения делает полученные соединения перспективными объектами, сочетающими свойства топологических полуметаллов с другими интересными функциональными свойствами, которые можно менять в широких пределах путем химического модифицирования. С использованием оптимизированной методики ХТР (транспортер – Hg2Br2) удалось получить кристаллы Bi4Br4 порядка 0.8-0.9 см. Также была разработана методика ХТР для получения кристаллов тройных соединений Bi4I4-xBrx (транспортеры HgI2 и Hg2Br2), в результате были получены кристаллы <1 мм. Методика нуждается в совершенствовании. На самом современном уровне проведен анализ деталей зонной структуры Bi4Br4 и Bi4I4-xBrx, определены эффективные массы и подвижность носителей заряда, ширина и тип запрещенной зоны, особенности транспортных свойств. Показано, что наиболее перспективными с точки зрения проявления топологических свойств являются Bi4Br4 и Bi4Br3I. Разработана методика твердофазного синтеза с длительной (~60 мин.) механохимической активацией, с применением которой впервые получены однофазные образцы Bi2TeI0,95Br0,05 и Bi3TeI0,95Br0,05. С использованием разработанной методики роста кристаллов собирательной рекристаллизацией удалось получить кристаллы состава, близкого к Bi2TeI0.4Br0.1¬. Детальный анализ зонной структуры Bi2TeBr и смешанных теллуробромид-иодидов указывает на высокую перспективность проявления нетривиальных топологических свойств составами между Bi2TeBr и Bi2TeBr0.5I0.5. Осуществлен синтез монокристаллических образцов LiFe1TMxAs с частичным замещением железа на 3- и 4d-металлы, включая дырочное (TM = V), электронное (TM = Co, Rh, Pd) и изоэлектронное (TM = Ru) допирование. с целью достижения перехода в топологически обусловленное состояние. Ввиду высокой гигроскопичности как исходных веществ (Li, Li3As), так и продуктов (LiFe1-xTMxAs), все стадии приготовления реакционной смеси, отделения полученных кристаллов от флюса, а также подготовки монокристаллов для последующих исследований были проведены в перчаточном боксе в атмосфере сухого аргона с содержанием O2 и H2O не более 0.1 ppm. В результате оптимизации условий синтеза были получены образцы монокристаллов с размерами до 10× 6 ×0,3 мм3 . Уровень замещения x в монокристаллах LiFe1-xTMxAs установлен методом РСМА и подтвержден изменением параметра c кристаллической ячейки, а именно, его уменьшением в случае TM = Co, Rh, Pd и увеличением в случае TM = V. Путем измерения температурной зависимости магнитной восприимчивости было показано, что с увеличением уровня замещения критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние (Tc) понижается. Скорость уменьшения Tc зависит от металла. Для проверки существования нематического состояния и изучения его характеристик были проведены эксперименты по эласторезистивному эффекту на образцах недопированного LiFeAs, а также образцах с электронным (5,2% Co) и дырочным (2,8% V) допированием. Показано, что в образцах LiFeAs и Li(Fe0.948Co0.052)As не наблюдается устойчивого нематического состояния, в то время как образец с замещением на ванадий Li(Fe0.972V0.028)As проявляет нематические колебания при низких температурах. Таким образом, дырочное допирование приводит к увеличению амплитуды колебания. Действительно, замещение на ванадий способствовало возникновению нематического состояния, однако при таком уровне допирования сверхпроводимость оказалась полностью подавлена. З3. Синтез и исследования новых ДПМ с многократно-вырожденными точками пересечения. С использованием индия в качестве флюса и стеклографитовых тиглей показана возможность выращивания тугоплавких монокристаллов Дираковских полуметаллов с многократно-вырожденными точками пересечения: Ln4Bi3 (Ln=La, Ce). Получить Ba4Bi3, используя индиевый флюс, не удалось, однако из этого расплава были получены относительно крупные кристаллы Ba5In4Bi5, проявляющие топологические свойства, и представляющие интерес для дальнейших исследований зонной структуры. Методом кристаллизации из висмутового флюса синтезирован ранее неизветсный висмутид бария -золота. Пластинчатые кристаллы с металлическим блеском были исследованы методами электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. По результатам РСМА (Ba0.96(1)Au1.87(2)Bi2.17(2)) состав полученных кристаллов близок к BaAu2Bi2. Однако проведенный РСА показал, что полученное вещество не изоструктурно ни с одной из двух близких по составу известных фаз: ВaAu2Sb2 и BaAg1.837Bi2. Расшифровка результатов рентгеноструктурного анализа оказалась осложнена значительной степенью разупорядочения атомов в ячейке и склонностью кристаллов к двойникованию. Опробована методика сольвотермального синтеза в изопропиловом спирте для роста кристаллов Pd3Bi2S2 и Pt3Bi2Se2. Полученные кристаллы тройных соединений недостаточно велики для проведения физических измерений. Расчеты зонной структуры и изучение поверхности Ферми для Pd3Bi2S2 и Pt3Bi2Se2 показывают малую вероятность проявления ими нетривиальных топологических свойств.