КАРТОЧКА ПРОЕКТА,
ПОДДЕРЖАННОГО РОССИЙСКИМ НАУЧНЫМ ФОНДОМ
Информация подготовлена на основании данных из Информационно-аналитической системы РНФ, содержательная часть представлена в авторской редакции. Все права принадлежат авторам, использование или перепечатка материалов допустима только с предварительного согласия авторов.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Номер 21-72-10136
НазваниеОт микроскопических механизмов к способам контроля свойств перспективных Ван-дер-Ваальсовых магнетиков
РуководительПрищенко Данил Александрович, Кандидат физико-математических наук
Организация финансирования, регионфедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина", Свердловская обл
Срок выполнения при поддержке РНФ | 07.2021 - 06.2024 |
КонкурсКонкурс 2021 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными
Область знания, основной код классификатора 02 - Физика и науки о космосе, 02-204 - Нано- и микроструктуры
Ключевые словадвумерные магнетики Ван-дер-Ваальса, спиновая динамика, магноны, магнитооптика, магнитотранспорт, ультрабыстрые магнитные процессы, нейросети, машинное обучение
Код ГРНТИ29.19.22
ИНФОРМАЦИЯ ИЗ ЗАЯВКИ
Аннотация
Проект посвящен изучению электронных, магнитных и структурных свойств новейших двумерных Ван-дер-Ваальсовых магнетиков при помощи методов компьютерного моделирования. Особое внимание уделяется оценке возможностей по контролю изучаемых свойств с помощью различных внешних воздействий. Интерес к данному направлению исследований вызван недавним прогрессом в получении однослойных магнитных материалов, имеющих отличные перспективы для использования в качестве основы эффективных устройств спинтроники. Помимо уникальных электронных свойств, присущих большинству представителей семейства двумерных материалов, наличие магнитного упорядочения в данных соединениях позволяет контролировать их электронные, оптические и магнитные свойства с помощью внешнего электрического поля, изменения количества слоев, допирования носителей заряда, использования различных подложек. Несмотря на большую актуальность данного направления в современной физике конденсированного состояния, многие микроскопические механизмы, ответственные за формирование свойств двумерных магнетиков, остаются неизученными. В частности, основной проблемой большинства таких материалов является низкая температура Кюри. Поиск способов её увеличения, а также поиск новых материалов с высоким значением температуры Кюри является достаточно актуальной задачей. В контексте практического применения двумерных магнетиков важную роль играют процессы рассеяния, связанные с электрон-фононным и электрон-магнонным взаимодействием, определяющие их транспортные характеристики, связанные с эффективностью потенциальных устройств. Несмотря на всю важность данных микроскопических характеристик, их изучение представляет собой достаточно сложную многочастичную задачу, нерешенную для двумерных магнетиков. Наконец, представляется интересным изучить поведение двумерных магнетиков на ультракоротких временных интервалах после возбуждения внешними оптическими импульсами. Фундаментальное понимание процессов, происходящих на таких временных масштабах, способно привести к развитию качественно новых технологий спинтроники с низким потреблением энергии. В рамках данного проекта будет сделан значительный теоретический задел по описанным направлениям исследований, связанных с физикой двумерных магнитных материалов, что будет стимулировать новые исследования и развитие технологий.
Ожидаемые результаты
1) Используя комбинацию первопринципных методов расчета и метода спиновых гамильтонианов будет предложена микроскопическая картина основных электронных и магнитных свойств новейших Ван-дер-Ваальсовых магнетиков. В частности, будет проведено моделирование спиновых корреляционных функций для оценки наблюдаемых характеристик, а также проанализирована возможность контролируемого изменения свойств данных материалов с помощью различных внешних воздействий (магнитное и электрическое поле, подложка, примеси и т.д.).
2) Будет определена природа магнетооптических и оптоэлектронных характеристик рассматриваемых материалов и выявлены способы их контроля. Для этой цели будут разрабатываться эффективные численные методы на основе многочастичной теории.
3) Будут исследованы микроскопические механизмы, определяющие транспортные характеристики двумерных магнетиков. Для оценки электрон-фононных взаимодействий будут применяться первопринципные расчеты в комбинации с модельными подходами, в то время как для оценки электрон-магнонных взаимодействий будут разрабатываться новые численные подходы.
4) В рамках проекта впервые будет выполнено моделирование отклика двумерных магнитных материалов на внешнее импульсное возбуждение на ультракоротких временных отрезках, что заложит основу для проектирования устройств обработки информации нового типа.
Данные результаты являются важными для объективной оценки перспектив использования исследуемых материалов в качестве основы будущих устройств электроники и спинтроники. Для решения поставленных задач предполагается разработка алгоритмов, основанных на использовании технологии нейросетей, что позволит существенно сократить требования по вычислительным ресурсам. В свою очередь, разработка в рамках проекта новых теоретических подходов внесет существенный фундаментальный вклад в развитие исследований двумерных магнетиков.
ОТЧЁТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Аннотация результатов, полученных в 2021 году
1) Было проведено исследование влияния диэлектрических и металлических подложек на электронную структуру и магнитные свойства двумерного магнетика CrI3. Для учета диэлектрических подложек применялся модельный параметр диэлектрического экранирования, в то время как металлические подложки явно учитывались во время моделирования. С точки зрения электронной структуры, взаимодействие с подложками всех типов не приводит к значительным изменениям в зонной структуре самого CrI3, и выражается, в основном, в незначительном изменении межзонных расстояний и небольшому сжатию самих зон. Результаты расчета магнитных обменных параметров CrI3 при взаимодействии с диэлектрическими и металлическими подложками демонстрируют немонотонную картину изменения температуры Кюри (Тс). При увеличении экранирования, вызванного подложками, Тс растет и достигает максимального значения, после чего начинает уменьшаться. Такое поведение вызвано нетривиальным изменением изотропных обменов для первой и второй координационных сфер атомов Cr. В частности, для большинства металлических подложек, изменения в изотропных обменах не приводят к значительным изменениям в Тс, в то время как при взаимодействии со свинцовой подложкой Тс уменьшается. Дополнительным отличием свинцовой подложки от других исследованных металлических подложек является сильное увеличение одноузельной анизотропии в CrI3, что указывает на возможную технологическую важность в реализации подобных систем.
2) При помощи первопринципных расчетов, выполненных в приближениях LDA и PBE, были определены наборы обменных взаимодействий между магнитными моментами в монослое Fe3GeTe2. Было установлено, что наличие сильного ферромагнитного взаимодействия сверхобменной природы, а также соизмеримого прямого обменного взаимодействия приводит к сильной связи магнитных моментов атомов Fe(I). Данный факт позволяет перейти к эффективной магнитной модели, в которой ближайшие атомы железа Fe(I) заменяются одним эффективным атомом, что упрощает структуру магнитной решетки и ускоряет проведение термодинамических расчетов. Эквивалентность полной и эффективной моделей была подтверждена путем анализа результатов Монте-Карло симуляций и магнонных спектров. Было установлено, что обменные параметры, полученные с использованием PBE приближения, дают переоценку температуры Кюри по отношению к экспериментальному значению. Были рассмотрены различные физические механизмы, которые могут привести к эффективной перенормировке обменных взаимодействий и, как следствие, уменьшению результирующей критической температуры магнитного перехода. В качестве примера можно привести учет динамических кулоновских корреляций. С другой стороны, использование LDA приближения позволяет добиться хорошего согласия между экспериментом и теории по температуре Кюри. Кроме этого численно было показано, что варьирование постоянной решетки приводит к существенным изменениям магнитных моментов атомов железа, а также величин и знаков обменных параметров. Последнее, в свою очередь, оказывает значительное влияние на температуру Кюри и даже может приводить к изменению основного состояния системы.
3) Проведено моделирование ультрабыстрой спиновой динамики, генерируемой фемтосекундными лазерными импульсами, в монослое Fe3GeTe2 и мультислоевой системе Co/Pt. Тестирование и настройка двухтемпературной модели, применяемой для симуляции воздействия лазера на образец, выполнены на примере мультислоевой системы Co/Pt, для которой есть соответствующие экспериментальные данные. Предложенная минимальная спиновая модель позволяет с хорошей точностью воспроизвести временное и пространственное поведение максимальной интенсивности рассеянного рентгеновского излучения, на уровне рассчитываемых спин-спиновых корреляционных функций. На этой основе дано микроскопическое объяснение короткодействующим магнитным флуктуациям, наблюдаемым в эксперименте для Co/Pt. Применение двухтемпературной модели в случае гамильтониана монослоя Fe3GeTe2, полученного из первоприницпных расчетов, показывает, что при воздействии лазерного импульса исходная ферромагнитная конфигурация переходит в стабильную структуру с периодически чередующимися доменными областями спинов вверх и вниз, средний размер которых составляет 26 нм. Подобные возбужденные магнитные структуры ранее наблюдались для в мультислойнных магнетиках при приложении магнитного поля в плоскости. Показано, что решающую роль в формировании таких доменных структур играют дальнодействующие магнитные взаимодействия в спиновом гамильтониане.
4) Были исследованы магнитные свойства слоистой системы MoP3SiO11, в которой реализуется модель слабо связанных гексагональных антиферромагнитных решеток со спином S = 3/2. Результирующее значение обменного взаимодействия в гексагональной решетке J = 2.6 K приводит к оценке температуры Кюри-Вейсса Θ = −10.8 K, что находится в разумном согласии с экспериментальным значением −10.7±0.4 K. Расчет магнитной анизотропии демонстрирует наличие только одноузельного члена D ~ 2.2 K, который формирует анизотропию типа легкой плоскости, соответствующая плоскости гексагональной решетки. Решение данной модели квантовым методом Монте-Карло (QMC) воспроизводит экспериментальные кривые магнитной восприимчивости от температуры и намагниченности от внешнего магнитного поля, а также позволяет описать фазовый переход с температурой Нееля TN =7.1 K, что находится в хорошем согласии с экспериментом 6.8 K. Оценка квантовых флуктуаций демонстрирует ~10% подавление полного магнитного момента, что намного слабее для гексагональной решетки со спином 1/2, где данные значения достигают до 45%. В системе MoP3SiO11 сильная одноузельная анизотропия ослабляет эффекты квантовых флуктуаций.
5) Был проведен анализ влияния внешнего давления на магнитные свойства 2D магнетиков на примере китаевского магнетика α-Li2IrO3, испытывающего переход из магнитной в димеризованную немагнитную фазы под давлением. Результаты расчета электронных структур соответствующих фаз показывают, что повышение давления приводит к серьезной перестройке энергетических уровней иридия рядом с уровнем Ферми. Температурная зависимость критического давления была объяснена нами с помощью расчета разницы фононного вклада в свободную энергию между димеризованной и недимеризованной фазами для различных температур. Для объяснения зависимости температуры Нееля от давления в данном материале, нами были рассчитаны обменные взаимодействия для двух различных значений внешнего давления. Было показано, что увеличение величины суммарного обменного взаимодействия при изменении давления сопоставимо с увеличением температуры Нееля, что позволяет сделать вывод о том, что за изменение температуры магнитного перехода отвечает уменьшение углов Ir-O-Ir.
Публикации
1. Бадртдинов Д.И., Динг Л., Риттер К., Хембахер Я., Ахмед Н., Скоурский Ю., Цирлин А.А. MoP3SiO11: A 4d3 honeycomb antiferromagnet with disconnected octahedra PHYSICAL REVIEW B, Vol. 104, Iss. 9, № 094428 (год публикации - 2021).
2. Сориано Д., Руденко А.Н., Кацнельсон М.И., Роснер М. Environmental screening and ligand-field effects to magnetism in CrI3 monolayer NPJ COMPUTATIONAL MATERIALS, Vol. 7, Iss. 1, № 162 (год публикации - 2021).
3. Шен Б., Брейтнер Ф., Прищенко Д.А., Манна Р.С., Джеще А., Сэйдлер М.Л., Гегенварт Ф., Цирлин А.А. Pressure-induced dimerization and collapse of antiferromagnetism in the Kitaev material α−Li2IrO3 PHYSICAL REVIEW B, Vol. 105, Iss. 5, № 054412 (год публикации - 2022).